沙漏随机访问存储器

摘要

一种具有非易失HGRAM单元的集成电路包括第一部分(12)和第二部分，在第一部分(12)中，向衬底(16)注入杂质材料以形成NPN晶体管区(18，20)，而第二部分具有对NPN晶体管区中传导的电流进行控制的栅极结构(14)。所述栅极结构(14)至少形成在所述衬底的P型沟道区的上方，并且包括带有栅极的沙漏形材料，用于控制空穴穿越沙漏的受限部分的移动。

主权项

1.一种器件，包括：具有源极区和漏极区的衬底；具有上部区域和下部区域的半导体材料，所述两个区域由桥区分隔开，其中所述下部区域至少形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底的上方；和紧邻所述桥区形成的第一夹区材料，用于接收偏压，该偏压控制在所述上部区域和所述下部区域之间传递的电荷。