| 发明名称 | 半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为了存储器的稳定性和更高的运行速度，本发明提供一种半导体存储器及其制造方法。该存储器包括：在半导体基板上形成的一栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，在栅极叠层结构每边的旁边和半导体基板上形成第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间具有沟道区域；以及在第一或第二杂质区旁边的半导体区域上形成一接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN1638130A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200510003961.9 | 申请日期 | 2005.01.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 蔡熙顺;李兆远;金桢雨;李殷洪 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器，包括：一形成在半导体基板上的栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，形成在半导体基板上栅极叠层结构每边旁边的第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间有一沟道区域；以及一形成在第一或第二杂质区旁边的半导体基板上的接触层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||