| 发明名称 | 镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法，提供一半导体基底；依序形成金属层及介电层；形成多数个镶嵌式开口于所述介电层中；顺应性形成阻障金属/铜晶种层于所述介电层表面上；去除所述阻障金属/铜晶种层位于所述介电层上非镶嵌式开口部分，仅留下所述阻障金属/铜晶种层位于所述镶嵌式开口的侧壁与底部的部分；施行化学电镀程序，在所述阻障金属/铜晶种层的表面上形成铜金属层，用以填满所述镶嵌式开口；施行平坦化程序。有利于化学机械研磨的平坦化处理，缩短施行化学机械研磨所需的时间，并且避免研磨后碟化的问题发生的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1210782C | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN02100996.1 | 申请日期 | 2002.01.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄昭元 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)依序形成金属层及介电层；(3)形成多数个镶嵌式开口于所述介电层中；(4)顺应性形成阻障金属/铜晶种层于所述介电层表面上；(5)去除所述阻障金属/铜晶种层位于所述介电层上非镶嵌式开口部分，仅留下所述阻障金属/铜晶种层位于所述镶嵌式开口的侧壁与底部的部分；(6)施行化学电镀程序，在所述阻障金属/铜晶种层的表面上形成铜金属层，用以填满所述镶嵌式开口；(7)施行平坦化程序。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||