| 发明名称 | 用于场效应晶体管的超薄高K栅介质的制作方法以及超薄高K栅介质 | ||
| 摘要 | 提供了一种用来形成用于场效应晶体管的超薄高k栅介质的方法。此方法涉及到在衬底上淀积高k栅介质材料以及借助于对此高k栅介质材料执行减薄工艺而形成超薄高k介质。用来减薄此高k介质材料的工艺可以包含包括湿法腐蚀、干法腐蚀(包括气体团离子束(GCIB)加工)、以及混合损伤/湿法腐蚀的多种工艺的至少一种工艺。除此之外，本发明还涉及到用上述方法制作的用于场效应晶体管的超薄高k栅介质。 | ||
| 申请公布号 | CN1638051A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410095008.7 | 申请日期 | 2004.11.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 凯瑟琳·L·萨恩格尔;拉加拉奥·加米;维加伊·纳拉扬南 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/314;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用来形成用于场效应晶体管的超薄高k栅介质的方法，此方法包含：在衬底上淀积高k栅介质材料；以及借助于对所述高k栅介质材料执行减薄工艺而形成超薄高k介质，其中，超薄高k介质具有小于大约3nm的厚度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||