发明名称 |
透射反射型液晶显示器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CMOS-TFT阵列基板及其制造方法,用低掩模技术减少掩模的使用次数,其包括一基板,该基板包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区,各像素区具有透射部分和反射部分;在像素区内形成的具有第一源极/漏极区的第一半导体层;在驱动电路区内形成的具有第二源极/漏极区的第二半导体层;在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层;位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极;像素区内的存储电极;在基板的整个表面上的绝缘中间层;在透射部分的绝缘中间层上的透射电极;在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层;在反射部分的钝化层上的反射电极;接触到第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极;以及位于该基板与另一相对基板之间的液晶层。 |
申请公布号 |
CN1637548A |
申请公布日期 |
2005.07.13 |
申请号 |
CN200410090892.5 |
申请日期 |
2004.11.16 |
申请人 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
发明人 |
梁埈荣;朴容仁;张相民;崔秀石;金商铉 |
分类号 |
G02F1/136;G02F1/133;G09G3/36;H01L21/00;G03F7/20 |
主分类号 |
G02F1/136 |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国;梁挥 |
主权项 |
1、一种透射反射型液晶显示器件,包括:包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区的基板,各像素区具有透射部分和反射部分;具有在像素区内形成的第一源极/漏极区的第一半导体层;具有在驱动电路区内形成的第二源极/漏极区的第二半导体层;在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层;位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极;像素区内的存储电极;在基板的整个表面上的绝缘中间层;在透射部分的绝缘中间层上的透射电极;在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层;在反射部分的钝化层上的反射电极;接触到第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极;以及该基板与另一相对基板之间的液晶层。 |
地址 |
韩国汉城 |