| 发明名称 | 用于低K介电材料的包括回蚀的镶嵌互连结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说，把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料，从而从这些材料的机械特性中受益，同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1638089A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410070537.1 | 申请日期 | 2004.08.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·K·斯坦帕;E·C·库尼三世;J·P·甘比诺;T·J·达尔顿;J·A·菲兹赛蒙斯;L·M·尼科尔森 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上形成互连结构的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上淀积至少一个介质层，该介质层由至少一个第一介电材料构成；在介质层中嵌入至少一个导电互连，该导电互连的侧壁与第一介电材料接触；在介质层的选择区域中去除部分第一介电材料，从而在介质层中形成至少一个开口，由此导电互连的侧壁保持与第一介电材料接触；以及用第二介电材料填充开口。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||