| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN1638095A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410103430.2 | 申请日期 | 2004.12.27 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 宫崎忠一;阿部由之;植松俊英;木村稔;铃木一成;小田切政雄;须贺秀幸;高田学 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/304;H01L21/52 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在具有第一厚度的半导体晶片的第一主表面上或上方形成电路图形；(b)在所述第一主表面上粘结第一带；(c)研磨所述半导体晶片的第二主表面，以使所述半导体晶片为第二厚度；(d)强制地氧化所述半导体晶片的所述第二主表面；以及(e)释放粘附到所述半导体晶片的所述第一主表面的所述第一带以及将第二带粘附到所述半导体晶片的所述第二主表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||