半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明是关于一种半导体发光元件及其制造方法，在窗层(15)和保护层(20)之间提供有光线透射层(19)，光线透射层(19)具有在窗层(15)和保护层(20)的折射指数之间的一折射指数。光线透射层(19)的折射指数n₂，例如在窗层(15)和保护层(20)的折射指数的几何平均值的±20％范围之内。光线透射层(19)的厚度满足{(λ/4n₂)×(2m+1)－(λ/8n₂)}≤T≤{(λ/4n₂)×(2m+1)+(λ/8n₂)}，其中λ表示所发出的光的波长，m表示不小于0的正整数。

主权项

1、一种半导体发光元件，其特征在于其包括：半导体层(16)，形成光学窗；第一光线透射层(19)，形成于上述的半导体层(16)之上；及第二光线透射层(20)，形成于上述的第一光线透射层(19)之上，其中上述的第一光线透射层(19)的折射指数n2在不小于((n1×n3)1/2×0.8}且不大于{(n1×n3)1/2×1.2}的范围之内，其中，n1表示上述的半导体层(16)的折射指数，n3表示上述的第二光线透射层(20)的折射指数，且上述的第一光线透射层(19)的厚度在不小于{(λ/4n2)×(2m+1)-(λ/8n2)}且不大于{(λ/4n2)×(2m+1)+(λ/8n2)}的范围之内，其中，λ表示所发出的光的波长，m表示不小于0的正整数。