发明名称 薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法
摘要 本发明涉及薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法。一种FBAR阶梯滤波器,其在通带边缘附近的阻带可产生较已知接地FBAR阶梯滤波器为小的降级。为此目的,薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具有多个串联耦合的FBAR细件,各串联耦合的FBAR组件包括一上部金属电极及下部金属电极,及多个并联耦合的FBAR组件,各并联耦合的FBAR组件包括提供地面节点的一上部金属地面电极及一下部金属电极,薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具至少一电容器组件,其包括一上部金属电极及一下部金属电极,其中各电容器组件串联耦合于两地面节点之间,使得并联耦合的FBAR组件的电感耦合得以补偿。
申请公布号 CN1638273A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200410060389.5 申请日期 2004.12.22
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 N·-H·休恩赫
分类号 H03H9/54;H03H9/64;H01L41/04 主分类号 H03H9/54
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒
主权项 1.一种薄膜体声波共振器(thin film bulk acoustic wave resonator,FBAR)阶梯滤波器,包括:提供于模具的多个串联耦合FBAR组件,每一串联耦合FBAR组件包括上部金属电极及下部金属电极;提供于该模具的多个并联耦合FBAR组件,每一并联耦合FBAR组件包括提供地面节点的上部金属地面电极及下部金属电极,至少一电容器组件提供于该模具,每一电容器组件包括上部金属电极及下部金属电极,其中每一电容器组件系串联耦合于两地面节点之间使得并联耦合FBAR组件的电感耦合被补偿。
地址 联邦德国慕尼黑