发明名称 |
薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法 |
摘要 |
本发明涉及薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法。一种FBAR阶梯滤波器,其在通带边缘附近的阻带可产生较已知接地FBAR阶梯滤波器为小的降级。为此目的,薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具有多个串联耦合的FBAR细件,各串联耦合的FBAR组件包括一上部金属电极及下部金属电极,及多个并联耦合的FBAR组件,各并联耦合的FBAR组件包括提供地面节点的一上部金属地面电极及一下部金属电极,薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具至少一电容器组件,其包括一上部金属电极及一下部金属电极,其中各电容器组件串联耦合于两地面节点之间,使得并联耦合的FBAR组件的电感耦合得以补偿。 |
申请公布号 |
CN1638273A |
申请公布日期 |
2005.07.13 |
申请号 |
CN200410060389.5 |
申请日期 |
2004.12.22 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
N·-H·休恩赫 |
分类号 |
H03H9/54;H03H9/64;H01L41/04 |
主分类号 |
H03H9/54 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种薄膜体声波共振器(thin film bulk acoustic wave resonator,FBAR)阶梯滤波器,包括:提供于模具的多个串联耦合FBAR组件,每一串联耦合FBAR组件包括上部金属电极及下部金属电极;提供于该模具的多个并联耦合FBAR组件,每一并联耦合FBAR组件包括提供地面节点的上部金属地面电极及下部金属电极,至少一电容器组件提供于该模具,每一电容器组件包括上部金属电极及下部金属电极,其中每一电容器组件系串联耦合于两地面节点之间使得并联耦合FBAR组件的电感耦合被补偿。 |
地址 |
联邦德国慕尼黑 |