| 发明名称 | 用于半导体制造的双层光阻制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体制造的双层光阻制造方法。首先，在基底上提供一层待蚀刻层，之后在其上覆盖一层底部含硅的光阻层，并烘烤此底部含硅光阻层。对底部含硅光阻层进行处理，以在其表面形成一氧化硅层。之后，在氧化硅层上覆盖一层顶部光阻层，并烘烤顶部光阻层。接着对顶部光阻层进行曝光和显影，以于其中形成图案；之后，将此图案转移至氧化硅层和底部含硅光阻层中。 | ||
| 申请公布号 | CN1210762C | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN03107271.2 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 丁坤山 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/26 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体制造的双层光阻制造方法，其特征在于，包括：在一基底上提供一待蚀刻层；在该待蚀刻层上覆盖一底部含硅光阻层；烘烤该底部含硅光阻层；处理该底部含硅光阻层，以在该底部含硅光阻层表面形成一氧化硅层；在该氧化硅层上覆盖一顶部光阻层；烘烤该顶部光阻层；将该顶部光阻层曝光和显影，以在该顶部光阻层中形成一图案；以及转移该图案至该氧化硅层和该底部含硅光阻层中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||