曝光处理系统、曝光处理方法和半导体器件的制造方法

摘要

一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。

主权项

1.一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影；以及用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。