发明名称 电光装置、电子设备和电光装置的制造方法
摘要 本发明的目的在于,在电光装置中在以简单的结构实现小型化和高精度化的同时进行高质量的显示。在基板上设置数据线、扫描线、薄膜晶体管、存储电容、屏蔽层和像素电极。屏蔽层以配置在存储电容上的多个层间绝缘膜为基底在像素间的非开口区域内形成,并且由通过一气地贯通多个层间绝缘膜的接触孔与存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成。此外,屏蔽层与存储电容的固定电位侧电极电连接,像素电极配置在屏蔽层的更上层侧并且通过以多个层间绝缘膜为基底形成的一气地贯通多个层间绝缘膜的像素电极用接触孔与存储电容的像素电位侧电极电连接。
申请公布号 CN1637564A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200510000600.9 申请日期 2005.01.07
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 佐藤尚
分类号 G02F1/136;H01L29/786;H01L21/00 主分类号 G02F1/136
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 李峥;于静
主权项 1.一种电光装置,其特征在于,具备:在基板上彼此交叉地进行延伸的数据线和扫描线;在上述基板上平面看与上述数据线和扫描线的交叉区域对应地配置的薄膜晶体管;在比上述薄膜晶体管更上层一侧形成的、具有以电介质膜介于中间而相对配置的固定电位侧电极和像素电位侧电极的存储电容;配置在上述存储电容上的多个层间绝缘膜;在像素间的非开口区域内把上述多个层间绝缘膜一气地贯通的接触孔;在上述层间绝缘膜上形成的、并且由通过上述接触孔与上述存储电容的固定电位侧电极电连接的第1导电性遮光膜构成的屏蔽层;在比上述屏蔽层更上层一侧的层间绝缘膜上形成的、通过上述存储电容的像素电位侧电极与上述薄膜晶体管电连接的像素电极。
地址 日本东京都