可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法

摘要

一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法。提供一半导体基底，其包含有第一导电层且被介电层所覆盖，介层窗结构是穿越介电层且使第一导电层的表面暴露，以及一钨金属层是形成于介电层上且填满介层窗结构。钨金属的CMP方法的前段研磨是采用标准钨研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行；钨金属的CMP方法的后段研磨是采用氧化物研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行。使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量。避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。

主权项

1、一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨方法，其特征是：它包括下列步骤：提供一半导体基底，其包含有至少一钨插塞及一金属介电层；钨金属的化学机械研磨方法的前段研磨，是采用标准钨研磨浆，于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行；该标准钨研磨浆为包含有SiO2、H2O2、WOx以及其它的化学成分的酸性化合物；钨金属的化学机械研磨方法的后段研磨，是采用一氧化物研磨浆，于该钨插塞及该介电层的研磨表面上进行；该氧化物研磨浆为包含有NH4OH的碱性材质。