| 发明名称 | 有机半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造使用有机TFT的器件的过程中，主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件，以减小器件的尺寸。基于上述讨论，本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言，本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体地说，本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外，烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1638170A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410011448.X | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 平形吉晴;石谷哲二;深井修次;今林良太 |
| 分类号 | H01L51/40;H01L51/20 | 主分类号 | H01L51/40 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种制造有机半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括步骤：形成有机半导体薄膜；和，在大气压力条件下或者在减压的条件下加热所述有机半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||