制造应变MOSFET的结构和方法

摘要

本发明提供了一种形成缺陷减少的应变Si薄膜的方法和器件，其中所述应变Si薄膜形成在非导电衬底表面上竖直定向的翅片。所述应变Si薄膜或翅片可以形成半导体沟道，该沟道具有较小的尺寸，同时也具有较少的缺陷。所述应变Si翅片通过在驰豫SiGe块侧面上生长Si而形成。电介质栅极，例如氧化物，高k材料，或两者的组合可以在所述应变Si薄膜表面上形成。此外，在基本上不影响应变Si薄膜中的应力的情况下，驰豫SiGe块可以去除，而可以在以前被驰豫SiGe块占据的表面上形成第二栅极氧化物。因此，可以形成具有在非导电性衬底表面上竖直定向的应变Si薄膜的半导体器件，其中所述应变Si薄膜的定向可以使其形成小尺寸的沟道，而可以接近两侧和顶部，以便形成单栅极，双栅极或更多栅极的MOSFET和翅片式FET，具有缺陷数目减少的和/或尺寸减小的沟道。

主权项

1.一种用于形成结构的方法，包含：在衬底上形成驰豫SiGe块；在驰豫SiGe块的一侧上形成应变Si薄膜，从而形成应变沟道区域。