发明名称 磁阻式随机存取存储器电路
摘要 一种磁阻式随机存取存储器电路,包括下列组件:磁阻式存储单元,具有固定磁轴层、自由磁轴层,以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端,并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层,并具有第二控制闸。位元线是耦接于第二开关装置,用以于读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于固定磁轴层的另一端,用以于执行编程动作时提供编程电流。第二编程线是耦接于第一开关装置。字符线是耦接于第一控制闸以及第二控制闸,用以提供致能信号以导通第一开关装置以及第二开关装置。
申请公布号 CN2710107Y 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200420049602.8 申请日期 2004.04.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林文钦;邓端理;池育德
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 王一斌
主权项 1.一种磁阻式随机存取存储器电路,其特征是包括:一磁阻式存储单元,具有一固定磁轴层、一自由磁轴层,以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层,上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态;一第一开关装置,耦接于上述固定磁轴层的一端,并具有一第一控制闸;一第二开关装置,耦接于上述自由磁轴层,并具有一第二控制闸;一位元线,耦接于上述第二开关装置,用以于读取动作时提供读取电流;一第一编程线,耦接于上述固定磁轴层的另一端,用以于执行编程动作时提供编程电流;一第二编程线,耦接于上述第一开关装置;以及一字符线,耦接于上述第一控制闸以及第二控制闸,用以提供一致能信号以导通上述第一开关装置以及第二开关装置。
地址 台湾省新竹科学工业园区