| 发明名称 | 具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构及其形成方法，该多晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta；而该多晶硅栅间介电层的结构的形成方法至少包括下列步骤：形成一第一三价金属氧化层于一多晶硅层上；形成一金属氧化层于该第一三价金属氧化层上；及形成一第二三价金属氧化层于该金属氧化层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1210812C | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN02106071.1 | 申请日期 | 2002.04.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林友民;侯拓宏 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/10;H01L21/283;H01L21/316 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构，其特征是：该多晶硅栅间介电层位于二个多晶硅层之间，该多晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||