| 发明名称 | 在半导体器件中形成栅极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体器件中形成栅极的方法。上述方法包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1638047A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410062358.3 | 申请日期 | 2004.07.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴启淳 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种在半导体器件中形成栅极的方法，包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||