半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，通过在整个面上溅射钛形成钛层(6)。这样，P⁺型扩散层(4)通过硅化物阻止层(5)的开口部(5a、5b)与钛层(6)接触。之后，通过进行热处理，将和P⁺型扩散层(4)接触的钛层(6)部分地硅化，在P⁺型扩散层(4)的表面上分别地形成硅化物层(7a、7b)。然后，将没有被硅化的钛层(6)湿法腐蚀并除去。从而可防止具有硅化物构造的扩散层电阻单元的结漏。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：具有：第1导电型的半导体基板；在所述半导体基板上形成的与所述第1导电型不同的第2导电型的高浓度扩散层；在所述高浓度扩散层与所述半导体基板之间形成的所述第2导电型的低浓度扩散层；在所述低浓度扩散层上形成，并阻止金属硅化物的形成的金属硅化物阻止层；以及所述低浓度扩散层上除外，在所述高浓度扩散层上形成的金属硅化物层。