发明名称 |
调整图形临界尺寸偏差的方法 |
摘要 |
公开了一种调整通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差的方法。该方法包括测量通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差,然后在光掩模中形成凹部、底切或各向同性沟槽。凹部、底切或各向同性沟槽形成为具有对应于图形的临界尺寸偏差量的尺寸。凹部、底切或各向同性沟槽的尺寸通常小于光刻工序中使用的曝光源的波长λ。 |
申请公布号 |
CN1638053A |
申请公布日期 |
2005.07.13 |
申请号 |
CN200510003689.4 |
申请日期 |
2005.01.10 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
许圣民;金成赫;申仁均 |
分类号 |
H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/30 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
1.一种通过使用波长λ的曝光源光刻工艺调整器件衬底上形成的图形的临界尺寸(CD)偏差的方法,该方法包括:执行使用光掩模的光刻工序,该光掩模包括透明衬底和形成在透明衬底上的光阻挡图形;以及,刻蚀透明衬底中的CD偏差区至小于波长λ的深度,其中CD偏差区对应于由于光刻工序将另外发生CD偏差的器件衬底中的区域。 |
地址 |
韩国京畿道 |