| 发明名称 | 氮化物系化合物半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。 | ||
| 申请公布号 | CN1638055A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410104567.X | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大野启;田村聪之;上田哲三 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种氮化物系化合物半导体元件的制造方法，包括：在母基板上形成氮化物系化合物半导体层工序；在所述氮化物系化合物半导体层表面的一部分形成作为蚀刻掩膜的导电性膜工序；对所述氮化物系化合物半导体层进行干式蚀刻工序；经所述导电性膜使从所述氮化物系化合物半导体层向外部释放电子，对所述氮化物系化合物半导体层进行湿式蚀刻工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||