发明名称 一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法
摘要 本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法,光学微腔包括:衬底,与衬底牢固结合的光学微腔,嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成,其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来,使其不再直接关联,从而使得两个制备过程之间不再相互制约,极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围,可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点,而且大大简化了整个制备工艺过程,最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。
申请公布号 CN1638218A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200410084778.1 申请日期 2004.11.30
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 陆卫;王少伟;陈平平;李宁;张波;李志锋;陈效双
分类号 H01S5/34;H01L33/00 主分类号 H01S5/34
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 张泽纯
主权项 1.一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔,包括:衬底(1),与衬底牢固结合的光学微腔(2),嵌埋在光学微腔中的单量子点(3),其特征在于:所说的光学微腔由光学膜系构成,其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致,结构为 (LH)mnL(HL)m,其中(LH)m为微腔的下反射膜系(201),nL为谐振腔层(202),(HL)m为微腔的上反射膜系(203),L为低折射率膜层,H为高折射率膜层,m为L与H的交替叠层次数,m≥6,n为2的整数倍,n≥2,L和H膜层的厚度为1/4λ0,λ0 为荧光峰位;所说的单量子点(3)嵌埋在谐振腔层(202)的中间。
地址 200083上海市玉田路500号
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