发明名称 用于制造固态成像装置的方法
摘要 提供了一种用于制造固态成像装置的方法,其中二维布置多个像素以形成一个光敏区域,每个所述像素包括一个光敏二极管,该光敏二极管对入射光进行光电转换以便存储一个信号电荷,以及用于从所述光敏二极管读出所述信号电荷的读出元件,而用于驱动所述光敏区域内行方向上的多个像素的一个纵向驱动电路、用于驱动同一光敏区域内列方向上的多个像素的一个横向驱动电路、以及用于放大输出信号的一个放大电路由MOS晶体管构成。该方法包括:在所述多个光敏二极管和所述多个MOS晶体管之间形成一个具有STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区域;以及形成厚度为10纳米或更薄的所述MOS晶体管的栅极氧化物膜。所述MOS晶体管的栅极形成之后的所有热处理工艺在不超过900℃的温度范围内进行。在具有精细结构的MOS型固态成像装置中,可以充分抑制图像缺陷的发生。
申请公布号 CN1638140A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200510003903.6 申请日期 2005.01.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 越智元隆
分类号 H01L27/146;H04N5/335 主分类号 H01L27/146
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1、一种制造固态成像装置的方法,其中二维布置多个像素以形成一个光敏区域,每个所述像素包括一个光敏二极管,该光敏二极管对入射光进行光电转换以便存储一个信号电荷,和用于从所述光敏二极管读出所述信号电荷的读出元件,而用于驱动所述光敏区域内行方向上的多个像素的一个纵向驱动电路、用于驱动同一光敏区域内列方向上的多个像素的一个横向驱动电路、以及用于放大输出信号的一个放大电路由MOS晶体管构成,该方法包括:在所述多个光敏二极管和所述多个MOS晶体管之间形成一个具有STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区域;以及形成所述MOS晶体管的厚度为10纳米或更薄的的栅极氧化物膜,其中所述MOS晶体管的栅极形成之后的所有热处理工艺在不超过900℃的温度范围内进行。
地址 日本大阪府