| 发明名称 | 半导体器件的制造 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体发光器件的有源区的方法包括分别退火每层阻挡层，其中该有源区包括多层阻挡层(11、13、15、17)，用量子阱层(12、14、16)隔开每对阻挡层，包括分别对每一阻挡层(11、13、15、17)进行退火。在一旦生长完每层阻挡层(11、13、15、17)后，并且在该阻挡层上生长另一层之前对其进行退火。用本发明的方法生长的器件具有比用有单个退火步骤的常规生产工艺制作的器件明显更高的光学功率输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1638159A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410095456.7 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | S·霍普;V·宝斯奎特;K·L·约翰逊;J·赫非南 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种用氮化物材料系制造半导体发光器件的有源区的方法，该方法包括以下步骤：a)生长第一阻挡层；b)在比步骤a)的生长温度高的温度下退火第一阻挡层；c)在第一阻挡层上生长第一量子阱层；d)在第一量子阱层上生长第二阻挡层；和e)在比步骤d)的生长温度高的温度下对第二阻挡层退火。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||