| 发明名称 | 电容元件及其制造方法和半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使强介质膜的加工更加容易、能够控制绝缘体内空隙的发生、提高电容元件上膜的覆盖质量的电容元件及其制造方法、以及相关半导体装置及其制造方法。根据本发明的电容元件的制造方法包括以下步骤：在元件隔离膜(2)上形成下方电极(10)；在下方电极上形成第一层间绝缘膜(9)；在第一层间绝缘膜(9)内形成并位于下方电极(10)上的沟道(9a)和(9b)；在沟道内以及第一层间绝缘膜(9)上淀积强介质膜(11)；在强介质膜上和沟道内淀积导电膜(12)；以及通过对导电膜(12)、强介质膜(11)及第一层间绝缘膜(9)进行CMP研磨，在沟道内埋置强介质膜(11a)和(11b)与上方电极(12a)和(12b)。 | ||
| 申请公布号 | CN1210805C | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN02146561.4 | 申请日期 | 2002.10.22 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 两角幸男 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种电容元件的制造方法，包括：在硅衬底上形成元件隔离膜；在所述元件绝缘膜上形成下方电极；在所述下方电极上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜中形成至少一个沟道，所述沟道位于所述下方电极上；在所述下方电极上并在所述沟道内形成第一强介质膜，并且在所述层间绝缘膜上形成第二强介质膜；在所述沟道中以及所述第一和第二强介质膜上形成上方电极；以及研磨所述上方电极、第二强介质膜和所述层间绝缘膜，将所述第一强介质膜和位于其上方的上方电极埋置在所述沟道内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||