| 发明名称 | 晶片上监测系统 | ||
| 摘要 | 一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。 | ||
| 申请公布号 | CN1639850A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN03804732.2 | 申请日期 | 2003.02.03 |
| 申请人 | 东北泰克诺亚奇股份有限公司 | 发明人 | 寒川诚二;新村忠;冲川满 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种能够在晶片上测量等离子体处理装置的操作的晶片上监测系统，所述晶片上监测系统包括：设置在硅基板上的一个或者多个检测器部分、一个电源单元、以及一个I/O单元，该I/O单元向外部输出信号和从外部输入信号，其中，所述检测器部分具有多个图案部分，以及，用于利用能量来分离等离子体的离子和电子的多个电极，并且所述检测器部分包括具有与正好位于所述图案部分下方的所述硅基板的电位相同的电位的多个电极。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||