发明名称 | 花纹工艺中的全移相掩模 | ||
摘要 | 全移相掩模(FPSM)有利于在难蚀刻金属的花纹工艺中使用。因FPSM能配用正性光刻胶,故原始布局上的特征可用FPSM布局上的移相器取代。相邻移相器为反相,如0度与180度。在一实施例中,暗场微调掩模可与FPSM联用,该微调掩模包括的切口对应于FPSM上的切口,而FPSM上的切口可解决贴近移相器间的相位冲突。在一场合中,曝光FPSM上两贴近的移相器,微调掩模上的对应切口在金属层内形成一特征。FPSM和/或微调掩模包括进一步改善印刷分辨度的贴近性校正。 | ||
申请公布号 | CN1639645A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
申请号 | CN03805394.2 | 申请日期 | 2003.02.27 |
申请人 | 数字技术股份有限公司 | 发明人 | C·皮拉特 |
分类号 | G03F9/00;G03C5/00 | 主分类号 | G03F9/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 包于俊 |
主权项 | 1.一种在集成电路里形成金属层图案的掩模组,所述掩模组用于花纹工艺,其特征在于,所述掩模组包括:包括多个移相器的全移相掩模(FPSM),其中移相器代表金属层内的几乎所有特征;和包括至少第一切口的暗场微调掩模,第一切口对应于FPSM上的第二切口,第二切口解决FPSM上的相位冲突。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |