肖特基二极管

摘要

本发明肖特基二极管具有由位于半导体基体或基板内之一掺杂井顶侧之一薄金属层及/或金属硅化物所形成之一肖特基结。与CMOS井上之低阻抗接触之制程不同，在较佳实施例中，一精准的钛不被施加至高掺杂接触区域，而是被施加至掺杂井之轻掺杂半导体材料，例如高电压晶体管制造用之HV井。

主权项

1.一种肖特基二极管，具有：一弱导电掺杂井(2)，被形成于一半导体基体或一基板(1)内；一金属层位于该井(3)之上用以形成具有侧面边缘之肖特基结；以及至少一接触区域(4)，其为了具有该掺杂井(2)中之一侧边界之低阻抗接触连接而被高度掺杂，特征在于，该金属层系一薄金属层，一接触孔填充之衬垫(7)，一金属硅化物层(10)或一金属硅化物层(10)之上的衬垫；该接触区域(4)具有一格栅形状，手指状或类似梳状的结构，或具有不规则曲线，分枝状或有裂缝的边缘，以及该肖特基结之边缘被设计为是长的及/或大的曲线，不规则曲线，分枝状或有裂缝的。