| 发明名称 | 汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构，至少包括：一半导体基底；一闸极结构，位于该半导体基底表面；一源极和一汲极，位于该闸极结构两侧的该半导体基底内；以及一缺陷结构区，位于该汲极内。由于位于该汲极内的该缺陷结构区，能够产生大量漏电流，而能增进该静电放电保护结构的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1210774C | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN02103501.6 | 申请日期 | 2002.02.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 詹宜陆;杨富量;许义明 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/322;H01L21/82;H01L23/60 | 主分类号 | H01L21/335 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构的制造方法，包括下列步骤：提供具有一闸极结构的一基底；形成一源极区与一汲极区于该闸极结构两侧的该基底内；以及利用离子布植制程而形成一缺陷结构区于该汲极区内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||