一种制备碳化硅的方法

摘要

本发明为一种制备碳化硅的方法，涉及碳化硅的制备技术领域。所要解决的技术问题是针对至今为止硅源限于二氧化硅的晶形或非晶形粉体颗粒材料与碳源材料混合方式不可能获得超紧密接触的混合反应体系的缺陷，提供一种成本低，后续工序不需酸洗、精加工粉碎，并且易于产业化的制备超细碳化硅粉体和晶须的方法。包含：将碱性化的硅源与含碳的碳源进行均质化处理后制备前驱体；将此前驱体置于烧结炉中，在非氧化气氛、1400℃～1800℃下加热0.5～4小时，或将加热温度提高到2200℃，得到碳化硅晶体；若有残余碳，可在低于800℃、空气氛下加热除去。本发明主要用来制备碳化硅超细粉体和晶须。

主权项

1.一种制备碳化硅的方法，其特征在于包含下述步骤：1)原料均质化处理：将碱性化的硅源与含碳的碳源混合，加入水和/或表面活性剂配成悬浮浆液，进行均质化处理，其中所述的碱性化的硅源为水玻璃；2)前驱体制备：将均质化后的悬浮浆液进行干燥，脱去水分，得到前驱体；3)煅烧：将此前驱体置于烧结炉中，在非氧化气氛、1400℃～1800℃下加热0.5～4小时，或将加热温度提高到2200℃，得到碳化硅晶体。