半导体数据存储电路装置及其检查方法以及替换该装置中有缺陷单元的方法

摘要

本发明的课题是提供不论通常工作用的位宽如何可以改变试验工作用的位宽的半导体存储电路装置及其检查方法。在半导体芯片的存储器芯内具有由行数和列数之积的存储单元数构成的存储单元阵列1、1位的输入输出线与存储单元阵列1的通常工作用的在存储器芯内形成的存储单元阵列1预先设定的列数即4列、8列或2列对应的输入输出电路和存储单元阵列1的试验工作用的在存储器芯内形成的不论与通常工作时的输入输出电路的1位的输入线或输出线或输入输出线对应的列数如何而1位的输入输出线都与存储单元阵列1的恒定的列数即2列对应的检查电路。

主权项

1.一种半导体数据存储电路装置，其特征在于，具有：在半导体芯片的存储器芯内由配置为1个或多个行和多个列的多个存储单元构成的存储单元阵列；用于上述存储单元阵列的通常工作的配置在上述存储器芯内的与各自的1位对应的数据输入线或数据输出线或数据输入输出线按上述存储单元阵列的第1指定列数配置的数据输入输出电路；以及用于上述存储单元阵列的制造时检查的配置在上述存储器芯内的与各自的1位对应的试验数据输入线或试验数据输出线或试验数据输入输出线按与第1指定列数不同的上述存储单元阵列的第2指定列数配置的检查电路。