| 发明名称 | 一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70％左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1638135A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410084793.6 | 申请日期 | 2004.12.01 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所;华东师范大学 | 发明人 | 郭方敏;陆卫;徐欣;李宁 |
| 分类号 | H01L27/14;H01L31/00;G01J1/02 | 主分类号 | H01L27/14 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 1.一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片(1)，通过铟柱(2)与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路(3)，其特征在于：在用于电学互连铟柱(2)区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱(4)，或在面阵电学互连铟柱(2)区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱(4)。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||