| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性存储器，包括第一电极(11)及第二电极(12)、和夹持于上述第一电极(11)和第二电极(12)之间并在上述第一电极(11)及第二电极(12)之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体(14)，上述第一电极(11)及第二电极(12)的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成分，上述相变化记录体(14)由含有硫族元素的相变化材料构成。根据该非易失性存储器，就可以抑制因通电的特性恶化(即，电极和相变化记录体的不纯物相互扩散)并可以提高耐久性及可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1639867A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN03804919.8 | 申请日期 | 2003.07.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 森本廉;田中英行;大塚隆;宫本明人 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L45/00;G11C13/00 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，其特征在于：包括：第一电极及第二电极；和夹持于所述第一电极和第二电极之间、在所述第一电极及第二电极之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体，所述第一电极及第二电极的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成份，所述相变化记录体由含有硫族元素的相变化材料构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||