发明名称 半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备
摘要 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、电路基板、电子设备,该制造方法具备:在具备形成有多个电子电路的有源面(10a)的基板(10)的该有源面侧,嵌入成为电子电路的外部电极的连接端子(24)的工序;研磨基板(10)的背面(10b)来使连接端子(24)的一部分露出的工序;介由连接端子(24)将半导体芯片(60)装配在基板(10)的背面侧的工序;通过密封材(62)来对装配在基板(10)上的半导体芯片(60)进行密封的工序;按各电子电路的形成区域切断基板(10),分成多个单片的半导体装置(1)的工序。因此,这种半导体装置的制造方法,能够更简单地实现高密度装置。
申请公布号 CN1638020A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN200410081912.2 申请日期 2004.12.16
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 深泽元彦
分类号 H01L21/00;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/66;H01L23/00;H01L25/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于具有以下工序:在具备形成有多个电子电路的有源面的基板的该有源面侧,嵌入成为上述电子电路的外部电极的连接端子的工序;研磨上述基板的背面来使上述连接端子的一部分露出的工序;介由上述连接端子将半导体芯片装配在上述基板的背面侧的工序;通过密封材来对装配在上述基板上的上述半导体芯片进行密封的工序;按各电子电路的形成区域切断上述基板,分成多个单片的半导体装置的工序。
地址 日本东京