| 发明名称 | 多晶硅膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅(poly－Si)膜的形成方法，本发明的多晶硅膜形成方法是一种通过激光照射使非晶硅(a－Si)膜结晶化以形成多晶硅膜的方法，其包括以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜及非晶硅膜；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜；从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶。本发明的特征在于使非晶硅膜二次结晶，故能形成具有非常大的晶粒的多晶硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1638022A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410085784.9 | 申请日期 | 2004.10.22 |
| 申请人 | 京东方显示器科技公司 | 发明人 | 孙暻锡;李镐年;柳明官;朴宰彻;金億洙;李俊昊;权世烈 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/84;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1、多晶硅膜的形成方法，该方法是利用激光照射通过使非晶硅膜结晶而形成多晶硅膜的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜和非晶硅膜的步骤；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜的步骤；和从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||