降低偏置温度不稳定性效应的方法和设备

摘要

公开了一种允许以场效应晶体管(FET)实现的电子系统减少偏置温度不稳定性(BTI)所引起的阈值电压偏移的方法。当FET处于特定电压应力状态时，BTI所引起的VT偏移累积。电子系统中的很多存储元件几乎在系统的生命期内都存储相同数据，从而在这些存储元件的FET中导致严重的BTI所引起的VT偏移。本发明的实施例确保特定存储元件在电子系统工作时间的第一部分内处于第一状态，在此期间数据以第一相位存储在存储元件中，并且确保特定存储元件在电子系统工作时间的第二部分内处于第二状态，在此期间数据以第二相位存储在存储元件中。

主权项

1.一种减少用于电子系统中的场效应晶体管中偏置温度不稳定性所引起的阈值电压偏移的方法，包括以下顺序步骤：将相位模式设置为第一值；使用相位模式的第一值来选择输入数据信号的第一相位，以存储到存储元件中；使用相位模式的第一值来选择存储元件数据的第一相位作为输出数据；激活相位模式切换触发器；响应于相位模式切换触发器激活，将相位模式改变至第二值；使用相位模式的第二值来选择输入数据信号的第二相位，以存储到存储元件中；以及使用第二值相位模式来选择存储元件数据的第二相位作为输出数据。