| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备有:在一导电型半导体基板上隔着闸极氧化膜而形成的闸极;邻接于前述闸极一端而形成的逆导电型第一低浓度汲极区域;形成于前述第一低浓度汲极区域内之极附近,且杂质浓度至少高于前述第一低浓度汲极区域的杂质浓度的逆导电型第二低浓度汲极区域;以及邻接于前述闸极之另一端而形成的逆导电型高浓度源极区域,及与前述闸极之一端隔着预定距离而形成于前述低浓度汲极区域内的逆导电型高浓度汲极区域;其中,前述第一低浓度汲极区域与前述第二低浓度汲极区域,系利用扩散系数相异的二种逆导电型杂质之扩散系数差而形成。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第一低浓度汲极区域与前述第二低浓度汲极区域,系利用由磷离子所构成的第一杂质,与由砷离子所构成的第二离子之扩散系数差而形成。3.一种半导体装置之制造方法,系具备有:邻接于在一导电型导体基板上隔着闸极氧化膜而形成之闸极而形成的逆导电型高浓度源极区域;邻接于闸极而形成的逆导电型低浓度汲极区域;以及形成于该低浓度汲极区域内的高浓度汲极区域的半导体装置之制造方法,其特征为:前述低浓度汲极区域之形成步骤,系将扩散系数相异之至少二种以上的逆导电型杂质,采用相同罩幕进行离子植入,使该等杂质扩散的步骤所组成。4.一种半导体装置之制造方法,具备有以下步骤:在一导电型之半导体基板上的汲极形成区域上,形成具有第一开口的第一光阻膜,以该光阻膜为罩幕,将逆导电型第一、第二杂质进行离子植入前述基板后,使该第一、第二杂质扩散,而形成逆导电型第一、第二低浓度汲极区域的步骤;将形成于前述基板上的耐氧化性膜作为罩幕施行选择性氧化,而于预定区域形成元件隔离膜,同时形成第一闸极氧化膜后,于该元件隔离膜与第一闸极氧化膜之外的区域,形成第二闸极氧化膜的步骤;以从该第一闸极氧化膜横跨至第二闸极氧化膜上之方式,形成闸极的步骤;在前述基板上的源极形成区域上具有第二开口,且在前述低浓度汲极区域上离开前述闸极之另一端的区域上具有第三开口的第二光阻膜的形成步骤;以及以前述第二光阻膜、前述闸极、前述元件隔离膜及前述第一闸极氧化膜为罩幕,将逆导电型之第三杂质进行离子植入前述基板,而形成逆导电型高浓度源极,汲极区域的步骤;而形成前述第一低浓度汲极区域与第二低浓度汲极区域的步骤,系利用扩散系数相异之二种逆导电型杂质的扩散系数之差。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,形成前述第一低浓度汲极区域与第二低浓度汲极区域的步骤,系对由磷离子所构成之第一杂质与由砷离子所构成之第二杂质同时施予热处理,而利用该等杂质扩散系数之差者。图式简单说明:第1图系本发明之一实施形态的半导体装置之制造方法的剖面示意图。第2图系本发明之一实施形态的半导体装置之制造方法的剖面示意图。第3图系本发明之一实施形态的半导体装置之制造方法的剖面示意图。第4图系本发明之一实施形态的半导体装置之制造方法的剖面示意图。第5图系习知半导体装置之剖面示意图。第6图系说明习知课题的示意图。 |
