| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包含半导体雷射元件,该半导体雷射元件系位于在气密封装内,且该半导体雷射元件之活性区系由AlGaAs系结晶、AlGaInP系结晶、AlGaN系结晶、或InGaN系结晶所构成;其中该封装内之周遭气体为包含有氧气之气体。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中该半导体雷射元件于雷射出射面具有诱电体氧化膜。3.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中该周遭气体系为该氧气和氮气之混和气体,且该氧气的比例系为20%以上。4.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中该半导体雷射元件之出射光波长系为0.9m以下。5.一种半导体雷射装置,包含半导体雷射元件,该半导体雷射元件系位于在气密封装内,且该半导体雷射元件之额定输出系为30mW以上;其中该封装内之周遭气体为包含有氧气之气体。6.如申请专利范围第5项所述之半导体雷射装置,其中该周遭气体系为该氧气和氮气之混和气体,且该氧气的比例系为20%以上。7.一种半导体雷射装置,包含有半导体雷射元件,该半导体雷射元件系位于在气密封装内,该半导体雷射元件之活性区系由AlGaAs系结晶、AlGaInP系结晶、AlGaN系结晶、或InGaN系结晶所构成,且该半导体雷射元件之额定输出系为30mW以上;其中该封装内之周遭气体为包含有氧气之气体。8.如申请专利范围第7项所述之半导体雷射装置,其中该周遭气体系为该氧气和氮气之混和气体,且该氧气的比例系为20%以上。图式简单说明:第1图系显示本发明实施例之半导体雷射装置的剖面图;第2A及2B图系显示本发明实施例之半导体雷射装置之动作电流随时间变化之关系图;第3图系显示本发明实施例之半导体雷射装置之MTTF随氧气浓度变化之关系图;及第4图系显示习知四元系之半导体雷射装置之MTTF随额定输出功率变化之关系图。 |
