| 主权项 |
1.一种晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,包括:一资料库,该资料库包括两个或两个以上晶片处理炉处理历史记录;一分析装置,其系连接到资料库,该分析装置包括:一检索逻辑元件,其系检索该资料库中至少一处理历史记录;一确定逻辑元件,其系确定所检索至少一处理历史记录的标准处理时间和规范値域;以及一接收逻辑元件,其系接收当前处理过程的当前处理时间;一比对装置,其系连接到该分析装置,且该比对装置包括将一标准处理时间和一规范値域与一当前处理时间相比对的一逻辑元件;以及一输出装置,该输出装置连接到该比对装置且包括用于输出一比对结果的一逻辑元件。2.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该标准处理时间等于该至少一被检索处理历史记录的平均处理时间。3.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中当该至少一被检索处理历史记录包括单一个处理历史记录时,该规范値域等于该至少一被检索处理历史记录的平均处理时间。4.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中当该至少一被检索处理历史记录包括多个处理历史记录时,该规范値域为剔除至少一最大平均处理时间和一最小平均处理时间后每个被检索处理历史记录的平均处理时间范围。5.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该规范値域等于被检索至少一处理历史记录平均处理时间附近的一个预先设定値域。6.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中两个或更多个处理历史记录中的每一历史记录包括特定时间段内处理复数个晶片的一处理时间。7.如申请专利范围第6项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该当前处理时间包括最近完成处理炉次的处理时间。8.如申请专利范围第6项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该特定时间段包括单个操作者値班班次。9.如申请专利范围第6项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该特定时间段包括由两个或多个操作者値班班次组成的单个操作者工作日。10.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该当前处理时间超出规范値域时,该比对结果表现为警示资讯。11.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该系统更包括可访问资料库的一访问装置。12.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该晶片处理炉之两个或更多个处理历史记录剔除了重叠处理记录。13.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该晶片处理炉之两个或更多个处理历史记录剔除了手动处理记录。14.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中该比对结果包括一用户通知资讯。15.如申请专利范围第1项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统,其中当所接收到的该当前处理时间超出该规范値域时,该输出装置就输出该比对结果。16.一种晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法,包括:从包括该晶片处理炉之两个或更多个处理历史记录的一资料库中检索至少一处理历史记录;确定该至少一被检索处理历史记录的一标准处理时间和一规范値域;接收当前处理过程的一当前处理时间;将该标准处理时间和该规范値域与该当前处理时间相比对;以及输出一比对结果。17.如申请专利范围第16项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法,其中该标准处理时间等于该至少一被检索处理历史记录的平均处理时间。18.如申请专利范围第16项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法,其中当该至少一被检索处理历史记录包括单一个处理历史记录时,该规范値域等于该至少一被检索处理历史记录的平均处理时间。19.如申请专利范围第16项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法,其中当该至少一被检索处理历史记录包括多个处理历史记录时,该规范値域为剔除至少一最大平均处理时间和一最小平均处理时间后每一被检索处理历史记录的平均处理时间范围。20.如申请专利范围第16项所述之晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控方法,其中该规范値域等于被检索至少一处理历史记录平均处理时间附近的一预先设定范围。图式简单说明:第1图是根据本发明一较佳实施例之晶片处理炉和监控系统之方块图;第2图是根据本发明一较佳实施例之监控晶片处理炉每小时晶片处理量(WPH)参数时的监控方法流程图;第3图是根据本发明一较佳实施例之将当前处理时间与标准处理时间和规范値域进行比对时操作方法流程图;以及第4图是根据本发明一较佳实施例之处理历史记录曲线。 |
