| 主权项 |
1.一种静电吸盘之制造方法,包含:提供一盘本体,该盘本体系具有一静电吸附面及一对应之背面;形成一第一介电层于该盘本体之静电吸附面;利用离子植入技术将低阻抗离子植入该第一介电层,以改变该第一介电层之电容,使得该第一介电层之电阻値降低至106~1013-cm,以供在静电吸附时产生Johnsen-Rahbek效应;及形成一第二介电层于该第一介电层上并覆盖该第一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中该离子植入技术系为金属蒸汽真空弧(metalvapour vacuum arc, MEVVA)。3.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中该第二介电层之电阻値系大于1014-cm。4.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中所植入之低阻抗离子系选自于Ag、Cu、Fe、Al、Zn、Cr、Ti、C之离子。5.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中该所形成之第二介电层之厚度系介于50~500m。6.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中在形成第一介电层步骤之前,对该盘本体施以阳极处理,以在该盘本体之背面形成保护性氧化膜。7.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中该第二介电层系选自于Al2O3、AlN、BN、Si3N4或BeO之高电阻材料。8.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘之制造方法,其中该第一介电层之形成方法系为电浆喷焊[plasma sprayed coating]或阳极处理。9.一种静电吸盘,包含:一盘本体,其系具有一静电吸附面及一对应之背面;一第一介电层,其系形成于该盘本体之静电吸附面,该第一介电层系包含有由离子植入方式植入之低阻抗离子,藉以改变该第一介电层之电容,使得该第一介电层之电阻値降低至106~1013-cm,以供在静电吸附时产生Johnsen-Rahbek效应:及一第二介电层,覆盖该第一介电层,且该第二介电层之电阻値系大于第一介电层之电阻値。10.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该些低阻抗离子系以金属蒸汽真空弧(metal vapourvacuum arc, MEVVA)方式植入于该第一介电层。11.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该第二介电层之电阻値系大于1014-cm。12.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中所植入之低阻抗离子系选自于Ag、Cu、Fe、Al、Zn、Cr、Ti、C之离子。13.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该第二介电层之厚度系介于50~500m。14.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该盘本体之背面系形成有一保护性氧化膜。15.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该第一介电层系为由电浆喷焊或阳极处理所形成之氧化铝。16.如申请专利范围第9项所述之静电吸盘,其中该第二介电层系选自于Al2O3、AlN、BN、Si3N4或BeO之高电阻材料。图式简单说明:第1图:依据本发明之静电吸盘之制造流程图;第2A至2D图:依据本发明之静电吸盘之制造方法,所提供之盘本体在流程步骤中之截面示意图;第3图:依据本发明之静电吸盘之制造方法,该盘本体在离子植入设备中之截面示意图;第4图:依据本发明之静电吸盘之制造方法,该静电吸盘吸附有一晶圆之截面示意图;及第5图:依据本发明之静电吸盘之制造方法,该静电吸盘吸附有一晶圆之部份截面示意图。 |
