| 主权项 |
1.一种高频放大器,包括有:一第一转阻放大器,接收一输入电流并输出一第一电压;一第二转阻放大器,输出一第二电压;一第三放大器,接收该第一电压与该第二电压;以及一可变电流源,耦接于该第二转阻放大器之输入端与一接地端或一系统电压之间,用以输出一可变电流以改变该第二电压,使得该第二电压追随该第一电压。2.如申请专利范围第1项所述之高频放大器,其中该第一转阻放大器包括有一第一放大器与一第一回授电阻,其中该第一回授电阻耦接于该第一放大器之输入端与输出端之间。3.如申请专利范围第1项所述之高频放大器,其中该第二转阻放大器包括有一第二放大器与一第二回授电阻,其中该第二回授电阻耦接于该第二放大器之输入端与输出端之间。4.如申请专利范围第1项所述之高频放大器,其中更包括有一第四放大器,其输入端接收该第一电压与该第二电压,输出端与该可变电流源耦接。5.如申请专利范围第4项所述之高频放大器,其中该第四放大器之输出端与接地端间更耦接有一电容。6.如申请专利范围第1项所述之高频放大器,其中该输入电流流入该第一转阻放大器时,该可变电流系流入该第二转阻放大器。7.如申请专利范围第1项所述之高频放大器,其中该输入电流流出该第一转阻放大器时,该可变电流系流出该第二转阻放大器。8.一种高频放大器,包括有:一第一转阻放大器,接收一输入电流并输出一第一电压;一第二转阻放大器,输出一第二电压;一第三放大器,接收该第一电压与该第二电压;一可变电流源,耦接于该第二转阻放大器之输入端与一接地端之间,用以输出一可变电流以改变该第二电压,使得该第二电压追随该第一电压;一第四放大器,其输入端接收该第一电压与该第二电压,输出端与该可变电流源耦接;以及一固定电流源,耦接于该第一转阻放大器之输入端。9.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该第一转阻放大器包括有一第一放大器与一第一回授电阻,其中该第一回授电阻耦接于该第一放大器之输入端与输出端之间。10.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该第一转阻放大器包括有:一运算放大器,具有一输入端与一输出端;一电晶体,具有一第一端、一第二端与一第三端,该第一端与该运算放大器输出端耦接,该第二端与该运算放大器输入端耦接;以及一电阻,耦接于该第三端与一系统电压之间。11.如申请专利范围第10项所述之高频放大器,其中该电晶体系为一场效电晶体(FET)或一双载子电晶体(BJT)。12.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该第二转阻放大器包括有一第二放大器与一第二回授电阻,其中该第二回授电阻耦接于该第二放大器之输入端与输出端之间。13.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该第二转阻放大器包括有:一运算放大器,具有一输入端与一输出端;一电晶体,具有一第一端、一第二端与一第三端,该第一端与该运算放大器输出端耦接,该第二端与该运算放大器输入端耦接;以及一电阻,耦接于该第三端与一系统电压之间。14.如申请专利范围第13项所述之高频放大器,其中该电晶体系为一场效电晶体(FET)或一双载子电晶体(BJT)。15.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该第四放大器之输出端与接地端间更耦接有一电容。16.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该可变电流源之输出电流系流出该第二转阻放大器。17.如申请专利范围第8项所述之高频放大器,其中该固定电流源输出之电流系由流出该第一转阻放大器。图式简单说明:第1图系为先前技术所揭露之转阻放大器之电路架构图;第2图系为先前技术所揭露之另一转阻放大器之电路架构图;第3图系为本发明所揭露之高频转阻放大器之第一实施例之电路架构图;第4图系为本发明所揭露之高频转阻放大器之第二实施例之电路架构图;第5图系为本发明所揭露之高频转阻放大器之第三实施例之电路架构图,其中输入电流之方向与第二实施例不同;第6图系为本发明所揭露之高频转阻放大器之第四实施例之电路架构图;以及第7图系为本发明所揭露之高频转阻放大器之第五实施例之电路架构图。 |
