发明名称 高散热型覆晶式封装结构
摘要 一种高散热型覆晶式封装结构,包括基板、晶片、支撑结构及散热片。基板具有基板表面。晶片具有相对之主动表面及晶片背面,主动表面系覆晶接合于基板表面之区域。支撑结构具有上部及下部。上部具有第一开口,下部系固定于基板表面上,第一开口系与晶片之位置对应。散热片则是具有至少第二开口。散热片系固定于支撑结构之上部上。第二开口系与第一开口连通,使第一开口透过第二开口与外界相通。晶片所产生之热能除了透过热传导的方式传送至散热片以散逸至外界之外,其热能更透过空气于第一开口与第二开口间之热对流,以散逸至外界。
申请公布号 TWI236116 申请公布日期 2005.07.11
申请号 TW093133663 申请日期 2004.11.04
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 杨清旭
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 1.一种高散热型覆晶式封装结构,至少包括:一基板,具有一基板表面;一晶片,具有相对之一主动表面及一晶片背面,该主动表面系覆晶接合于该基板表面之中央区域;一支撑结构,具有一上部及一下部,该上部具有一第一开口,该下部系固定于该基板表面上,该第一开口系与该晶片之位置对应;以及一散热片,具有至少一第二开口,该散热片系固定于该支撑结构之该上部上,该第二开口系与该第一开口连通,使该第一开口透过该第二开口与外界相通;其中,该晶片所产生之热能除了透过热传导的方式传送至该散热片以散逸至外界之外,该晶片所产生之热能更透过空气于该第一开口与该第二开口间之热对流,以散逸至外界。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该散热片具有复数个鳍片。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该第二开口系位于该第一开口之上方,该第二开口之大小系小于该第一开口之大小。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该覆晶式封装结构更包括一导热性结构,系设置于该晶片背面及该散热片之中央区域之间,用以导热性连接该晶片及该散热片。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶式封装结构,其中该导热性结构之材质系为金属。6.如申请专利范围第5项所述之覆晶式封装结构,其中该导热性结构之材质系为铜或银。7.如申请专利范围第4项所述之覆晶式封装结构,其中该导热性结构之材质系为高导热性树脂。8.如申请专利范围第4项所述之覆晶式封装结构,其中,导热性结构系配置于对应至散热片之中间区域与晶片之中间区域之处,该第二开口系位于该导热性结构之侧。9.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该支撑结构之材质系为金属。10.如申请专利范围第9项所述之覆晶式封装结构,其中该支撑结构之材质系为铝。11.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该支撑结构之材质系为热固性树脂。12.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该支撑结构为一顶面中空帽型结构,该上部之上表面系为一顶面,该第一开口系位于该顶面之中央区域。13.如申请专利范围第1项所述之覆晶式封装结构,其中该支撑结构之该下部更具有一第三开口,该晶片所产生之热能更透过空气于该第三开口处之热对流,以散逸至外界。图式简单说明:第1图绘示乃传统之具有散热片之覆晶式封装结构的示意图。第2图绘示乃依照本发明之一较佳实施例之一种高散热型覆晶式封装结构的示意图。第3图绘示乃第2图之支撑结构之俯视图。第4图绘示乃第2图之散热片之仰视图。第5图绘示乃依照本发明之第二实施例之高散热型覆晶式封装结构的示意图。
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号