| 主权项 |
1.一种改善晶片边缘剥离的方法,该改善晶片边缘剥离的方法包含:形成一薄膜于晶片上;形成一图形化金属结构于晶片上;平坦化晶片表面以移除晶片上多余的该图形化金属结构,其中该平坦化步骤暴露出晶片边缘之部份该薄膜;及移除暴露出的部份该薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中该薄膜包含用以防止金属离子扩散之一阻障层。3.如申请专利范围第2项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中该阻障层的材料选自于以下所组成的族群之一:Ta,TaN,TiN,或TiW。4.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述薄膜之形成方法包含以薄膜沉积(如PVD)方法均匀地形成薄膜的方法。5.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述图形化金属层结构包含一金属导线层。6.如申请专利范围第5项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述图形化金属导线层的材料选自于以下所组成的族群之一:铜或铝。7.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述之平坦化步骤系包含使用蚀刻与化学机械研磨(CMP)方法。8.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述之移除步骤包含移除该平坦化步骤后之残留的该图形化金属结构。9.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述暴露出的部份该薄膜系位于晶片边缘。10.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述暴露出的部份该薄膜晶片之晶背。11.如申请专利范围第1项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一晶边清除(edgebevel removal;EBR)的技术。12.如申请专利范围第11项之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一酸性溶液。13.如申请专利范围第1项之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一晶边研磨之技术。14.如申请专利范围第13项之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一硷性研磨液。15.如申请专利范围第1项之改善晶片边缘剥离的方法,更包含乾燥晶片。16.一种改善晶片边缘剥离的方法,该改善晶片边缘剥离的方法包含:形成一阻障层于一晶片上;形成一金属导线层于该阻障层上,其中,未被该金属导线层覆盖之部份该阻障层被暴露出来;移除暴露出之部份该阻障层;进行回火步骤于该晶片;及进行平坦化步骤以移除该晶片上多余的该金属导线层。17.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述阻障层的材料系为Ta。18.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述阻障层的材料系为TaN。19.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述金属导线层系一铜导线层。20.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述金属导线层包含该阻障层位于晶背暴露出的部份。21.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法更包含移除暴露出之该晶片之晶背的部份该阻障层。22.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤包含移除该阻障层上之未完全图案化的该金属导线层。23.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤包含使用一晶边清除(edge bevel removal;EBR)技术。24.如申请专利范围第23项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一酸性溶液。25.如申请专利范围第24项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述之酸性溶液系一包含硝酸与氢氟酸的水溶液。26.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤包含使用一晶边研磨技术。27.如申请专利范围第26项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述移除步骤系使用一硷性溶液。28.如申请专利范围第27项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述之硷性研磨液的pH値约7~12。29.如申请专利范围第16项所述之改善晶片边缘剥离的方法,其中上述之平坦化步骤系包含使用平坦化之蚀刻和化学机械研磨(CMP)方法。图式简单说明:第一图为一根据习知技艺之铜导线制程的流程图;第二图为一根据本发明之改善晶片边缘剥离的方法之流程图;第三A图为另一根据本发明之改善晶片边缘剥离的方法之流程图;第三B图为又一根据本发明之改善晶片边缘剥离的方法之流程图;第三C图为再一根据本发明之改善晶片边缘剥离的方法之流程图。 |
