| 主权项 |
1.一种自动回馈之制程控制方法,适用于一电浆制程系统中,至少包含:建立一预测模组,与该电浆制程系统之至少一感应器以及至少一控制器相连接,其中该预测模组包含一程序控制演算法,而该感应器系用以侦测该电浆制程系统中的复数个制程资料;搜集该电浆制程系统中的该些制程资料;传递该些制程资料至该预测模组并计算出一预测値;比较该预测値以及一预定之制程目标値;以及调整该控制器,以控制该电浆制程系统之动作,使该电浆制程系统之作用结果精确地符合该制程目标値。2.如申请专利范围第1项所述之制程控制方法,其中上述之制程控制方法,更包含量测经过该半导体制程作用之至少一晶圆以获得复数个量测资料。3.如申请专利范围第2项所述之制程控制方法,其中上述之制程控制方法,更包含测试一控制装置并定义出控制该控制装置的复数个控制参数。4.如申请专利范围第3项所述之制程控制方法,其中上述之预测模组接收该些制程资料、该些量测资料以及该些控制参数。5.如申请专利范围第4项所述之制程控制方法,其中上述之程序控制演算法应用该些制程资料、该些量测资料以及该些控制参数以计算出该预测値。6.如申请专利范围第5项所述之制程控制方法,其中上述之制程资料系为与该半导体制程有关的参数。7.如申请专利范围第6项所述之制程控制方法,其中上述之制程资料系为时间、温度、压力、功力、气体流量、电浆密度、阻抗、电压或是功率。8.如申请专利范围第4项所述之制程控制方法,其中上述之量测资料系与该晶圆有关的参数。9.如申请专利范围第8项所述之制程控制方法,其中上述之量测资料系为蚀刻率、沉积厚度、蚀刻深度、蚀刻宽度或是均匀性。10.如申请专利范围第1项所述之制程控制方法,其中上述之预测模组至少包含一电脑系统。11.如申请专利范围第1项所述之制程控制方法,其中上述之预测模组以类神经网路之方法形成。12.如申请专利范围第1项所述之制程控制方法,其中上述之预测模组以统计法形成。13.一种多域射频偏压设备之控制方法,至少包含:建立一多域电极于一多域射频偏压设备中,其中该多域电极系由复数个次电极所构成,且该些次电极系分别与复数个可变电容搭配;建立一控制系统,与该多域电极相连接;建立一预测模组于该控制系统中,其中该预测模组包含一程序控制演算法;搜集该多域射频偏压设备中的复数个制程资料;传递该些制程资料至该预测模组并计算出一预测値;比较该预测値以及一预定之制程目标値;以及调整该多域电极之该些可变电容,使该多域射频偏压设备之作用结果精确地符合该制程目标値。14.如申请专利范围第13项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之控制方法,更包含量测经过该多域射频偏压设备作用之至少一晶圆以获得复数个量测资料。15.如申请专利范围第14项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之控制方法,更包含测试一控制装置并定义出控制该控制装置的复数个控制参数。16.如申请专利范围第15项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之预测模组接收该些制程资料、该些量测资料以及该些控制参数。17.如申请专利范围第16项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之程序控制演算法应用该些制程资料、该些量测资料以及该些控制参数以计算出该预测値。18.如申请专利范围第16项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之制程资料系为与该多域射频偏压设备以及一半导体制程有关的参数。19.如申请专利范围第16项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之量测资料系为与该晶圆有关的参数。20.如申请专利范围第16项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之量测资料系为蚀刻率、沉积厚度、蚀刻深度、蚀刻宽度或是均匀性。21.如申请专利范围第13项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之预测模组至少包含一电脑系统。22.如申请专利范围第13项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之预测模组以类神经网路之方法形成。23.如申请专利范围第13项所述之多域射频偏压设备之控制方法,其中上述之预测模组以统计法形成。24.一种多域射频偏压设备,至少包含:一多域电极系由复数个次电极所构成,且该些次电极系分别与复数个可变电容搭配,且该些次电极并连接至同一射频偏压源。25.如申请专利范围第24项所述之多域射频偏压设备,更包含一匹配网路,且该匹配网路系与该些次电极以及该射频偏压源连接。26.一种晶圆固持设备之控制方法,至少包含:建立一平面,用以承载一晶圆,且该平面具有复数个次电极,而该些次电极系分别与复数个可变电容搭配;建立一射频偏压源;建立一控制系统,同时与该些次电极以及该射频偏压源相连接;建立一预测模组于该控制系统中,其中该预测模组包含一程序控制演算法;搜集该晶圆固持设备中的复数个制程资料;传递该些制程资料至该预测模组并计算出一预测値;比较该预测値以及一预定之制程目标値;以及调整该些次电极之该些可变电容,使该晶圆固持设备之作用结果精确地符合该制程目标値。27.一种晶圆固持设备,至少包含:一固持电极具有一平面,该平面系用以承载一晶圆,且该平面系由复数个次电极所构成,其中该些次电极至少包含:一第一次电极,且该第一次电极并与一第一可变电容相接;一第二次电极,且该第二次电极并与一第二可变电容相接;以及一第三次电极,且该第三次电极并与一第三可变电容相接;一匹配网路与该第一次电极、该第二次电极与该第三次电极连接;以及一射频偏压源与该匹配网路连接。28.如申请专利范围第27项所述之晶圆固持设备,更包含一晶圆升起装置位于该固持电极中。29.一种电浆处理系统,适用于一电浆处理制程中用以处理一晶圆,该电浆处理系统至少包含:一处理室;至少一感测器,连接于该处理室以搜集该些制程资料;一电浆产生元件,藉以于该处理室中产生电浆,该电浆产生元件至少包含:一电浆源;一电浆电极位于该处理室之一侧,并连接该电浆源;以及一多域射频偏压设备,至少包含:一射频偏压源;一多域射频电极位于该处理室之另一侧,并具有承载该晶圆之一平面,且该多域射频电极系由复数个次电极所构成,其中该些次电极至少包含:一第一次电极,且该第一次电极并与一第一可变电容相接;一第二次电极,且该第二次电极并与一第二可变电容相接;以及一第三次电极,且该第三次电极并与一第三可变电容相接。一回馈控制设备,至少包含:一驱动器,连接该多域射频偏压元件以驱动该多域射频偏压元件;一预测模组,连接至外部之感应器用以接收并储存该些量测资料、该些制程资料以及该些制程参数并整合为一程序控制演算法;以及一介面装置,连接至该预测模组以产生一控制指令并控制该多域射频偏压设备。30.如申请专利范围第29项所述之电浆处理系统,更包含一匹配网路位于该多域射频偏压设备中,且该匹配网路系连接该射频偏压源与该多域射频电极。31.如申请专利范围第29项所述之电浆处理系统,更包含一匹配网路位于该电浆产生设备中,且该匹配网路系连接该电浆源与该电浆电极。32.如申请专利范围第29项所述之电浆处理系统,其中该第一次电极、该第二次电极与该第三次电极系为呈同心圆排列。33.如申请专利范围第29项所述之电浆处理系统,其中该多域射频电极更具有一固持设备,于该电浆处理制程中可藉以固持该晶圆。图式简单说明:第1图绘示了一运用本发明之制程控制方法的电浆制程控制系统之较佳实施例。第2图系绘示了本发明之电浆处理系统之多域电极的俯视图。 |
