发明名称 一种太阳能电池
摘要 一种太阳能电池,包括:一第一电极,其包括一导电基片、一半导体材料层及一光敏化剂层;一电解;一第二电极。其中,半导体材料层形成于导电基片上,光敏化剂层形成于半导体材料层上,半导体材料层包括复数半导体管。一种太阳能电池电极,包括:一导电基片,一半导体材料层,一光敏化剂层,其中,半导体材料层形成于导电基片上,光敏化剂层形成于半导体材料层上,半导体材料层包括复数半导体管。
申请公布号 TWI236156 申请公布日期 2005.07.11
申请号 TW092119703 申请日期 2003.07.18
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 黄全德;黄文正
分类号 H01L31/042 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人
主权项 1.一种太阳能电池,包括:一第一电极,其包括一导电基片、一半导体材料层及一光敏化剂层,一电解质,一第二电极,其中,半导体材料层形成于导电基片上,光敏化剂层形成于半导体材料层上,半导体材料层包括复数半导体管。2.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,半导体材料层为二氧化钛层或氧化锌层。3.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,半导体管通过化学气相沈积法或蚀刻形成于导电基片上。4.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,太阳能电池电极进一步包括一层奈米粒子,该层奈米粒子位于半导体管与光敏化剂层之间。5.如申请专利范围第4项所述的太阳能电池,其中,该奈米粒子为金属离子或半导体材料之量子点。6.如申请专利范围第4项所述的太阳能电池,其中,该奈米粒子通过沈积或溶胶-凝胶法形成于半导体管上。7.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,半导体管之间相互平行且垂直于导电基片。8.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,半导体管为半导体奈米管或半导体微米管。9.如申请专利范围第1项所述的太阳能电池,其中,半导体管之高度为1-50微米。10.一种太阳能电池电极,包括:一导电基片,一半导体材料层,一光敏化剂层,其中,半导体材料层形成于导电基片上,光敏化剂层形成于半导体材料层上,半导体材料层包括复数半导体管。11.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,导电基片为透明导电玻璃。12.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,光敏化剂层吸附于半导体材料层。13.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,光敏化剂层包括染料层。14.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,半导体材料层为二氧化钛层或氧化锌层。15.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,半导体管通过化学气相沈积法或蚀刻形成于导电基片上。16.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,太阳能电池电极进一步包括一层奈米粒子,该层奈米粒子位于半导体管与光敏化剂层之间。17.如申请专利范围第16项所述的太阳能电池电极,其中,该奈米粒子为金属离子或半导体材料之量子点。18.如申请专利范围第16项所述的太阳能电池电极,其中,该奈米粒子通过沈积或溶胶一凝胶法形成于半导体管上。19.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,半导体管之间相互平行且垂直于导电基片。20.如申请专利范围第10项所述的太阳能电池电极,其中,半导体管为半导体奈米管或半导体微米管。图式简单说明:第一图系先前技术之太阳能电池之示意图;第二图系采用本发明提供之太阳能电池及电极之示意图。
地址 台北县土城市自由街2号