| 主权项 |
1.一种选择性去除半球状矽晶粒层的方法,包括下 列步骤: 提供一半导体矽基底,其包括有一渠沟; 形成一埋入介电层于该渠沟侧壁上部; 顺应性沉积一半球状矽晶粒层于该渠沟侧壁及底 部; 顺应性沉积一掺杂绝缘层于该半球状矽晶粒层上; 形成一遮蔽层填入该渠沟内,并回蚀该遮蔽层至一 预定深度,露出部份该掺杂绝缘层; 去除该未被遮蔽层覆盖之掺杂绝缘层,露出部分该 半球状矽晶粒层; 离子掺杂露出之该半球状矽晶粒层,以形成一电浆 掺杂层于该深渠沟顶部及上侧壁;以及 以掺杂之半球状矽晶粒层对渠沟矽基底以大于1:20 之蚀刻选择比,蚀刻去除该于渠沟顶部及上侧壁之 电浆掺杂层。 2.如申请专利范围第1项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该埋入介电层为一氧化层。 3.如申请专利范围第2项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该埋入介电层系以氧离子布 植方式形成。 4.如申请专利范围第1项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该电浆掺杂层系以硼离子布 植方式形成。 5.如申请专利范围第1项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中形成该电浆掺杂层之布植条 件为1E17~1E19cm-3。 6.如申请专利范围第1项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中去除该深渠沟顶部及上侧壁 之电浆掺杂层的方法为一湿蚀刻法。 7.如申请专利范围第6项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该湿蚀刻法之蚀刻液为氢氟 酸:硝酸:醋酸以1~1.5:3~3.3:8~8.2混合。 8.一种选择性去除半球状矽晶粒层的方法,包括下 列步骤: 提供一基底,其包括有一渠沟; 形成一埋入介电层于该渠沟侧壁上部; 形成一半球状矽晶粒层于该渠沟侧壁及底部; 形成一掺杂绝缘层于该半球状矽晶粒层上; 形成一遮蔽层填入该渠沟内,并回蚀该遮蔽层至一 预定深度,露出部份该掺杂绝缘层; 去除该未被遮蔽层覆盖之掺杂绝缘层,露出部分该 半球状矽晶粒层; 离子掺杂露出之该半球状矽晶粒层,以形成一电浆 掺杂层于该渠沟顶部及上侧壁;以及 去除该电浆掺杂层。 9.如申请专利范围第8项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该埋入介电层为一氧化层。 10.如申请专利范围第9项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该埋入介电层系以氧离子布 植方式形成。 11.如申请专利范围第8项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中该电浆掺杂层系以硼离子布 植方式形成。 12.如申请专利范围第11项所述之选择性去除半球 状矽晶粒层的方法,其中形成该电浆掺杂层之布植 条件为1E17~1E19cm-3。 13.如申请专利范围第8项所述之选择性去除半球状 矽晶粒层的方法,其中去除该电浆掺杂层的方法为 一湿蚀刻法。 14.如申请专利范围第13项所述之选择性去除半球 状矽晶粒层的方法,其中该等向性之湿蚀刻法之蚀 刻液为氢氟酸:硝酸:醋酸以1~1.5:3~3.3:8~8.2混合。 15.一种渠沟电容器之制法,包括下列步骤: 提供一基底,其包括有一渠沟; 形成一埋入介电层于该渠沟侧壁上部; 形成一半球状矽晶粒层于该渠沟侧壁及底部; 形成一掺杂绝缘层于该半球状矽晶粒层上; 形成一遮蔽层填入该渠沟内,并回蚀该遮蔽层至一 预定深度,露出部份该掺杂绝缘层; 去除该未被遮蔽层覆盖之掺杂绝缘层,露出部分该 半球状矽晶粒层; 离子掺杂露出之该半球状矽晶粒层,以形成一电浆 掺杂层于该渠沟顶部及上侧壁; 去除该渠沟顶部及上侧壁之电浆掺杂层,以及去除 该残留之遮蔽层; 形成一覆盖氧化层于该渠沟底部及侧壁;以及 施行一热制程于该基底,以形成一电容器埋入电极 板。 16.如申请专利范围第15项所述之渠沟电容器之制 法,其中该埋入介电层为一氧化层。 17.如申请专利范围第16项所述之渠沟电容器之制 法,其中该埋入介电层系以氧离子布植方式形成。 18.如申请专利范围第15项所述之渠沟电容器之制 法,其中该电浆掺杂层系以硼离子布植方式形成。 19.如申请专利范围第18项所述之渠沟电容器之制 法,其中形成该电浆掺杂层之布植条件为1E17~1E19cm- 3。 20.如申请专利范围第15项所述之渠沟电容器之制 法,其中去除该深渠沟顶部及上侧壁之电浆掺杂层 的方法为一湿蚀刻法。 21.如申请专利范围第20项所述之渠沟电容器之制 法,其中该湿蚀刻法之蚀刻液为氢氟酸:硝酸:醋酸 以1~1.5:3~3.3:8~8.2混合。 图式简单说明: 第1A-1I图为习知之半球状矽晶粒层于深渠沟电容 器之制作剖面图。 第2A-2H图为本发明之半球状矽晶粒层于深渠沟电 容器之制作剖面图。 |
