| 主权项 |
1.一种丝带型平面扬声器之结构,包括: 一盆状磁铁固定座; 一为上下方向充磁之磁铁,设于该盆状磁铁固定座 之内; 一导磁元件,设于该磁铁上方; 一由一导体层与一绝缘层构成之丝带音膜,设于该 导磁元件上方以及该磁铁正上方;而该丝带音膜由 中央向外,分别设有一中央电极部份、一环型导体 线路及外侧电极部份; 一号角结构,设于该丝带音膜上方;以及 一锥形结构,设于该丝带音膜之中央电极部份上方 。 2.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该锥形结构系为中空的。 3.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该号角结构及该锥形结构系为一体成型者 。 4.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该丝带音膜之该中央电极部份与环型导体 线路间,设有一较宽之绝缘部份,而锥形结构的底 部面积,可遮盖该丝带音膜之中央电极部份及该绝 缘部份二分之一以上。 5.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、镍 、矽钢与低碳钢所组成之群组。 6.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该锥形结构与该丝带音膜之间,设置一第 一吸振元件以吸收音膜的振动。 7.如申请专利范围第6项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该第一吸振元件,系选自由玻璃纤维与有 机纤维所组成之群组。 8.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一第 二吸振元件。 9.如申请专利范围第8项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该第二吸振元件,系选自由玻璃纤维与有 机纤维所组成之群组。 10.如申请专利范围第1项之丝带型平面扬声器之结 构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米。 11.一种丝带型平面扬声器之结构,包括: 一固定座;一上下方向充磁之磁铁,设于该固定座 上方;一导磁元件,设于该磁铁上方;一由一导体层 与一绝缘层构成之丝带音膜,设于该导磁元件正上 方,而该丝带音膜由中央向外,分别设有一中央电 极部份、一环型导体线圈及外侧电极部份;以及一 第一吸振元件,设于该丝带音膜之中央电极部份上 方,以吸收该丝带音膜中央电极部份之振动。 12.如申请专利范围第11项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、 镍、矽钢与低碳钢所组成之群组。 13.如申请专利范围第11项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第一吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 14.如申请专利范围第11项之丝带型平面扬声器之 结构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一 第二吸振元件。 15.如申请专利范围第14项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 16.如申请专利范围第11项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米 。 17.如申请专利范围第11项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度大约于10微 米之聚亚醯氨(Polyimide)层。 18.一种丝带型平面扬声器之结构,包括:一固定座; 一上下方向充磁之第一磁铁,设于该固定座上方; 一导磁元件,设于该第一磁铁上方;一由一导体层 与一绝缘层构成之丝带音膜,该丝带音膜由中央向 外,分别设有一中央电极部份、一环型导体线圈及 外侧电极部份,且该磁铁设于该丝带音膜之正下方 ;一号角结构,设于该丝带音膜上方;以及一设于该 丝带音膜中央上方之第二磁铁,而该第二磁铁之充 磁方向,与该第一磁铁相反。 19.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其更包括一号角结构,设于该丝带音膜上方; 以及一中空之锥形结构,设于该丝带音膜中央上方 ,而该第二磁铁,设于该锥形结构之中。 20.如申请专利范围第19项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该号角结构及该锥形结构系为一体成型 者。 21.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之该中央电极部份与环型导 体线路间,设有一较宽之绝缘部份,而锥形结构的 底部面积,可遮盖该丝带音膜之中央电极部份及该 绝缘部份二分之一以上。 22.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、 镍、矽钢与低碳钢所组成之群组。 23.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二磁铁与该丝带音膜之间,设置一 第一吸振元件以吸收音膜的振动。 24.如申请专利范围第23项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第一吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 25.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一 第二吸振元件。 26.如申请专利范围第25项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 27.如申请专利范围第18项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米 。 28.如申请专利范围第27项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度大约于10微 米之聚亚醯氨(Polyimide)层。 29.一种丝带型平面扬声器之结构,包括:一磁铁固 定座,固定一上下方向充磁之第一磁铁于上方;一 导磁元件,设于该第一磁铁上方;一由一导体层与 一绝缘层构成之丝带音膜,设于该导磁元件上方; 而该丝带音膜由一中央电极部份、一线圈及外侧 电极部份构成;一号角结构与一锥形结构,设于该 丝带音膜上方;以一设于该丝带音膜与该锥形结构 间之第二磁铁,且该第二磁铁之充磁方向,与第一 磁铁相反。 30.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该锥形结构系为中空的。 31.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该号角结构及该锥形结构系为一体成型 者。 32.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中锥形结构的底部面积,可遮盖该丝带音 膜之中央电极部份。 33.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、 镍、矽钢与低碳钢所组成之群组。 34.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中第二磁铁与该丝带音膜之间,设置一第 一吸振元件以吸收音膜的振动。 35.如申请专利范围第34项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第一吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 36.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一 第二吸振元件。 37.如申请专利范围第36项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 38.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米 。 39.如申请专利范围第29项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜与该号角之间,更包括一音 膜固定架。 40.一种丝带型平面扬声器之结构,包括:一上下方 向充磁之磁铁,设于一盆状固定座之中;一导磁元 件,设于该磁铁上方;一具有中央电极部份与线圈 部份之丝带音膜,设于该导磁元件正上方;以及一 第一吸音薄毡,设于该丝带音膜之中央电极部份上 方,以吸收该丝带音膜中央电极部份之振动。 41.如申请专利范围第40项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、 镍、矽钢与低碳钢所组成之群组。 42.如申请专利范围第40项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第一吸音薄毡,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 43.如申请专利范围第42项之丝带型平面扬声器之 结构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一 第二吸音薄毡。 44.如申请专利范围第43项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二吸音薄毡,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 45.如申请专利范围第40项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米 。 46.如申请专利范围第40项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度大约于10微 米之聚亚醯氨(Polyimide)层。 47.如申请专利范围第40项之丝带型平面扬声器之 结构,其中更包括一该号角结构与一锥形结构设于 该丝带音膜上方,而第一吸音薄毡系设于该锥形结 构与丝带音膜之间。 48.一种丝带型平面扬声器之结构,包括:一上下方 向充磁之第一磁铁;一导磁元件,设于该第一磁铁 上方;一由一导体层与一绝缘层构成之丝带音膜, 该丝带音膜由中央向外,分别设有一中央电极部份 、一线圈及外侧电极部份,而该第一磁铁设于该丝 带音膜之正下方;一号角结构及一锥形结构,设于 该丝带音膜上方。 49.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该号角结构及该锥形结构系为一体成型 者。 50.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之该中央电极部份与环型导 体线路间,设有一较宽之绝缘部份,而锥形结构的 底部面积,可遮盖该丝带音膜之中央电极部份及该 绝缘部份二分之一以上。 51.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该导磁元件之材料,系选自由铁、钴、 镍、矽钢与低碳钢所组成之群组。 52.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二磁铁与该丝带音膜之间,设置一 第一吸振元件以吸收音膜的振动。 53.如申请专利范围第52项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第一吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 54.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中,该丝带音膜与该导磁元件之间,设置一 第二吸振元件。 55.如申请专利范围第54项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该第二吸振元件,系选自由玻璃纤维与 有机纤维所组成之群组。 56.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度小于15微米 。 57.如申请专利范围第56项之丝带型平面扬声器之 结构,其中该丝带音膜之绝缘层为厚度大约于10微 米之聚亚醯氨(Polyimide)层。 58.如申请专利范围第48项之丝带型平面扬声器之 结构,其更包括一第二磁铁,设于该丝带音膜与该 锥形结构之间,而该第二磁铁之充磁方向,与该第 一磁铁相反。 图式简单说明: 第1图为一习知长方形丝带型平面扬声器示意图; 第2图为一习知圆形丝带型平面扬声器示意图; 第3图为圆形丝带型平面扬声器音膜之示意图; 第4图为本创作第一实施例之丝带型平面扬声器示 意图; 第5图为本创作第二实施例之丝带型平面扬声器示 意图; |
