发明名称 制造发光装置之方法
摘要 一种获得,具有内含掺杂物之发光层的EL元件之优质冷光的方法,被提供,因此提供,发光装置,其包含,有优质冷光的EL元件,的制造方法,其中,第一发光层,系由,经由气化而形成之发光物质及掺杂物,所制成,及第二发光层,系由,藉由,在停止掺杂物之气化时,持续发光物质之气化,所形成之发光物质所制成。结果,发光层的连续性被增加,藉此,优质的冷光可以被获得。
申请公布号 TWI236157 申请公布日期 2005.07.11
申请号 TW090110642 申请日期 2001.05.03
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山形裕和;高桥正弘
分类号 H01L31/12;H05B33/00 主分类号 H01L31/12
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种制造发光装置的方法,包含以下步骤: 形成第一发光层,藉由气化包含Alq3之有机物质及 包含萤光物质或磷光物质之掺杂物;及 形成第二发光层,藉由在持续有机物质之气化以形 成第一发光层时,停止掺杂物之气化。 2.一种制造发光装置的方法,包含以下步骤: 形成第一发光层,藉由气化包含Alq3之有机物质;及 形成第二发光层,藉由在持续有机物质之气化以形 成第一发光层时,气化有机物质及包含萤光物质或 磷光物质之掺杂物。 3.一种制造发光装置的方法,包含以下步骤: 形成第一发光层,藉由气化发光物质及包含萤光物 质或磷光物质之掺杂物;及 形成第二发光层,藉由在持续发光物质之气化以形 成第一发光层时,停止掺杂物之气化。 4.一种制造发光装置的方法,包含以下步骤: 形成第一发光层,藉由气化发光物质;及 形成第二发光层,藉由在持续发光物质之气化以形 成第一发光层时,气化包含萤光物质或磷光物质之 掺杂物。 5.根据申请专利范围第1项至第4项任何一项之制造 发光装置的方法,其中金属薄膜在第二发光层上被 形成。 6.根据申请专利范围第3项至第4项任何一项之制造 发光装置的方法,其中发光物质系为Alq3(tris-8- quinolilite-铝复合物)。 7.根据申请专利范围第1项至第4项任何一项之制造 发光装置的方法,其中上述之发光装置系被包含在 电子装置,其被选自于由摄影机、数位相机、护目 镜式显示器、汽车导航系统、声音重现设备、笔 记型个人电脑、游戏设备、手提式资讯终端机及 影像播放装置所组成之群集。 图式简单说明: 图1是显示,EL元件之发光性特性,的图表(本发明被 运用之实例); 图2是显示,EL元件之结构,的示意图(本发明被运用 之实例); 图3是显示,EL元件之结构,的示意图(本发明被运用 之实例); 图4A至4E是显示,发光装置之制造程序,的示意图; 图5A至5E是显示,发光装置之制造程序,的示意图; 图6A至6C是显示,发光装置之制造程序,的示意图; 图7是显示,发光装置之显示影像之替代照片,的示 意图;及 图8是显示,EL元件之发光性特性,的图表(本发明未 被运用之实例)。 图9A至9F是显示,电子装置,之示意图。
地址 日本
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