Bipolartransistor mit erhöhtem Basisanschlussgebiet und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung betrifft einen Bipolartransistor mit DOLLAR A - einer Basis mit einer epitaxialen Basisschicht (4) und einem erhöhten Basisanschlussgebiet (12), das in zur Substratoberfläche paralleler, lateraler Richtung den mit einem Abstandshalter aus Isolatormaterial (8) umgebenen Emitter (9) umschließt und in einer senkrecht zur Substratoberfläche weisenden Höhenrichtung die Erstreckung der epitaxialen Basisschicht (4) erhöht, DOLLAR A - einem Emitter (9), der in Höhenrichtung an den inneren Basisabschnitt (4) angrenzt, DOLLAR A wobei die laterale Erstreckung (d) des Abstandshalters (8), ausgehend von seiner Grenzfläche, zur epitaxialen Basisschicht (4) mit zunehmender Höhe über der epitaxialen Basisschicht (4) zunimmt.