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经营范围
发明名称
GATE MANUFACTURING METHOD BY USING NITRIDE LAYER SPACER
摘要
申请公布号
KR20050070430(A)
申请公布日期
2005.07.07
申请号
KR20030099949
申请日期
2003.12.30
申请人
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC.
发明人
LEE, DONG JOON;LIM, TAE HONG
分类号
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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